Juan Manuel Ramírez García1, José Alonso López Miranda1, Daniel Olguín Melo2 1UAQ-Facultad de Ingeniería-Ingeniería Física 2CINVESTAV-Unidad Querétaro Correspondencia: ramirezjuan_333@hotmail.com; alonso.lopez@uaq.mx; daniel@fis.cinvestav.mx
En este trabajo estudiamos las propiedades electrónicas y vibracionales de la familia de semiconductores III-N, GaN, AlN, AlN, así como el comportamiento de la banda prohibida en función de la temperatura propia de cada material en fase cúbica desde el enfoque de primeros principios. Teniendo como principales objetivos obtener el parámetro de red, estudiar la estructura de bandas, obtener la densidad de estados electrónicos, calcular la curva de dispersión de fonones de cada semiconductor y estudiar el comportamiento de la banda de energía prohibida en función de la temperatura a través de las interacciones electrón-fonón. Los estudios se realizaron usando la Teoría Funcional de la Densidad (DFT) con las aproximaciones del Gradiente Generalizado (GGA) y Densidad Local (LDA). Ésto nos da apertura a continuar con el análisis de efectos producidos por la interacción electrón-fonón para cerrar con la descripción total de los sistemas a estudiar.
banda prohibida, densidad de estados, electrón-fonón, estructura de bandas, fonones, parámetro de red, Teoría Funcional de la Densidad
In this paper, its studied the electronic and vibrational properties of the III-N semiconductors family, GaN, AlN, AlN, as well as the behavior of the band gap as a function of the temperature of each material in the cubic phase from the first principles approach. With the main objectives of obtaining the lattice parameter, studying the band structure, obtaining the density of electronic states, calculating the phonon dispersion curve of each semiconductor and studying the behavior of the band gap energy as a function of temperature through electron-phonon interactions. The studies are carried out using the Density Functional Theory (DFT) with the Generalized Gradient (GGA) and Local Density (LDA) approximations. This previous study of electronic and vibrational properties gives a way to continue with the analysis of the effects produced by the electron-phonon interaction to close with the total description of the systems to be studied.
band structure, density of states, phonons, band gap, lattice parameter, Density Functional Theory, electron-phonon