P.D. Gómez-Barrales1, A.A. Gutiérrez-Gil1, M. Serrano-Romero1, Y. Jiménez-Flores1, Ma. Del C. Alcántara-Téllez1, I.R. Chávez-Urbiola1, M.B. Ortuño-López1 1Tecnológico Nacional de México Campus Querétaro. Correspondencia: monica.ol@queretaro.tecnm.mx
Se sintetizaron y procesaron materiales para el diseño de sensores de radiación o también llamados foto-resistores, mediante métodos químicos de crecimiento en solución DBQ y SILAR. Se caracterizaron las propiedades ópticas y eléctricas de películas delgadas de PbS, CdS y ZnS. Se fabricaron foto-resistores de PbS, se valuaron eléctricamente en diferentes condiciones. Así, se observó un claro efecto en la resistividad dependiente de la intensidad lumínica. Se analizó estadísticamente la producción de estos sensores, para lo cual se observó una mínima dispersión con respecto a su producción. Con los datos obtenidos y un proceso estable para una producción a baja escala de sensores que cumplen con las características necesarias de dispositivos funcionales. Para las películas de CdS y ZnS, se realizaron dos tipos de perfiles de impurificación con Cu, a fin de conseguir efectos en sus propiedades eléctricas, que permitieran incrementar sus propiedades como fotosensores. Las películas de CdS:Cu y ZnS:Cu son películas semiconductoras con características ópticas y eléctricas apropiadas para el diseño de componentes electrónicos, como: fotosensores, transistores y diodos. La modificación y sintonización de su ancho de banda de energía prohibida (Eg) y variaciones significativas en la resistencia eléctrica, ambas como función tanto del perfil del dopaje como del espesor de los materiales permitirán implementar este tipo de películas en dispositivos electrónicos.
foto-resistores, PbS, CdS, ZnS, DBQ, SILAR.
Materials for the design of radiation sensors or also called photo-resistors were synthesized and processed by DBQ and SILAR solution growth chemical methods. The optical and electrical properties of PbS, CdS and ZnS thin films were characterized. PbS photo-resistors were fabricated, electrically evaluated under different conditions, a clear effect on the light intensity dependent resistivity was observed. The production of these sensors was statistically analyzed, for which a minimum dispersion with respect to their production was observed. With the data obtained and a stable process for a low-scale production of sensors fulfill the necessary characteristic of functional devices. For the CdS and ZnS films, two types of impurification profiles with Cu were performed, looking for effects on their electrical properties, which would increase their properties as photosensors. CdS:Cu and ZnS:Cu films are semiconductor films with optical and electrical characteristics suitable for the design of electronic components, such as: photosensors, transistors and diodes. The modification and tuning of their bandwidth of forbidden energy (Eg) and significant variations in electrical resistance, both as a function of both the doping profile and the thickness of the materials, will allow the implementation of this type of films in electronic devices.
Photo-resistors, PbS, CdS, ZnS, DBQ, SILAR.